教授玩直播还劝打赏学生：省点钱 留着结婚用
Транзи?стор (ингл. transistor, transfer -к?сере?,?тк?ре?; resistor- ?аршылы? к?р??те?), ярым ?тк?ргес трио?д — ярым ?тк?ргес материалдан ?с сы?ар?ыслы (выводлы) радиоэлектрон компонент ,[1], ул к?с??? ген? сигналды ?улланып, ине?се к?сл? сигнал мен?н идара итерг? (уны электр сигналдарын к?с?йте?, улар?ы булдырыу (генерациялау), коммутация эшл?? ??м ??г?рте? ?с?н ?улланыр?а) м?мкинлек бир?. Х??ерге ва?ытта транзистор — схемотехникала электрон ?оролмалар?ы? ??м интеграль микросхемалар?ы? к?бе?е ?с?н т?п ниге?.
| Транзистор | |
 | |
| Алда?ы | полупроводниковый диод[d], электронная лампа[d] ??м спектральная трубка[d] |
|---|---|
| Асыу дата?ы | декабрь 1947 |
 | |
 Транзистор Викимилект? | |
Тарих
??г?ртерг??алып:Подробно Транзистор уйлап сы?арыу XX быуатты? и? ?ур ?а?аныштарыны? бере?е[2], был ярым ?тк?ргест?р электроника?ыны? о?айлы ??еше ????мт??е.
Транзистор?ар тарихы 1833 йылда Майкл Фарадей ярым ?тк?ргес материал — к?м?ш сульфиды мен?н (сульфид серебра) т?жри?б?л?р ?тк?реп ?арауынан башлана.
1874 йылда немец ?алимы-физик Карл Фердинанд Браун металл- ярым?тк?ргес контакты ва?ытында бер я?лы ?тк?ре? к?ренешен аса.
1906 году инженер Гринлиф Виттер Пиккард н?кт?ле ярым ?тк?ргесле диод-детектор эшл?й.
1910 году инглиз физигы (Уильям Икклз (инг.)баш.) ?ай?ы бер ярым ?тк?ргес диодтар?ы? электр тирб?лешт?рен ? генерациялау (т?рл? тип энергияны ??г?ртеп, электр энергия?ын эшл?п сы?арыу?) ??л?те бар ик?нен асы?лай, ? инженер Олег Лосев 1922 йылда ?? аллы диодтар эшл?й, улар яр?амында т??ге тап?ыр ярым ?тк?ргест?р?е? к?с?йте? ??м генератор сифаттарын ??е эшл?п сы?ар?ан конструкциялы детектор ??м гетеродин радиоал?ыстар?а ?уллан?ан.
Был осор?о? ??енс?леге шунда- ярым ?тк?ргест?р физика?ы ул ва?ытта ?ле бик ?? ?йр?нелг?н була, б?т? ?а?аныштар?а ла эксперименттар ва?ытында ?лг?шелг?н, ?алимдар кристалл эсенд? ни бар?анын а?лата алма?ан, йыш ?ына ял?ан гипотезалар ?йтк?н.
Шул у? ва?ытта , 1920—1930 йылдар?а, радиотехникала ?алимдар тарафынан я?шы ?йр?нелг?н электрон лампалар?ы с?н???тт? к?пл?п сы?ару башлана, ?алим -радиотехниктар?ы? к?бе?е ошо й?н?лешт? эшл?й. Асы? конструкциялы, ?ынып бар?ан, а?лашылып б?тм?г?н ярым ?тк?ргесле детектор?ар (улар?а?ы кристаллда тимер эн? мен?н ?актив н?кт?л?р? э?л?рг? к?р?к була) и? ябай радиоал?ыстар эшл??се я??ы? о?талар?ы? ??м радио ??ешм?к?р??рене? ген? эше булып ?ала. Ярым ?тк?ргест?р?е? кил?с?ге барын бер кем к?рм?й.
?ыр транзисторы мен?н биполяр транзистор эшл??сел?р т?рл? юл мен?н китк?н.
Электр ?ыры транзисторы
??г?ртерг?Электр ?ыры транзисторын эшл???? беренсе а?ымды Австро-Венгрия физигы Юлий Эдгар Лилиенфельд эшл?й, ул ?л?г?л?ге токка ар?ыры электр ?ыры биреп, идара ите? методын т??дим ит? (заряд й?р?т??сел?рг? т?ь?ир итеп ?тк?ре?с?нлек мен?н идара итеп була). Патенттар Канадала (1925 йылда 22 октябр??) ??м Германияла (1928 йылда алына)[3][4].
1934 йылда немец физигы Оскар Хайл (инг.)баш. Великобританияла шундай у? принципта эшл?г?н "контакт?ы? реле"г? патент ала. ?ыр транзистор?ары ?ыр?ы? электростатик эффектында эшл???, унда бар?ан физик процестар биполяр транзистор?ы?ына ?ара?анда ябайыра? бул?а ла, ??м?лд? эшл?терлек ?ыр транзистор ?лг???н о?а? ва?ыт килтереп сы?ара алма?андар.
Эштл?терлек ?ыр транзисторы биполяр транзистор?ар сы??ас ?ына эшл?н? . 1952 йылда Уильям Шокли б?т?нл?й икенсе т?рл? ?ыр транзисторын эшл???е теоретияла тасуирлай[5]. "Идара ите?се р-n-к?се?ле ?ыр транзисторы"нда (?полевой транзистор с управляющим р-n-переходом?) эшт? ?амасаула?ан ??л?кт?ге к?ренешт?р б?т?р?л?, ?тк?ре?се материал кристалл эсенд? ?ала.
Т??ге 1920-се йылдар?а у? у?а патент алын?ан МДП-транзисторы (х??ерге компьютер с?н???тене? ниге?е), т?? тап?ыр 1960 йылда Америкала Канг и Аталла тарафынан эшл?н?. Улар, затвор диэлектригы ?атламы сифатында, кремний?ы окислап, кремний кристалы ??т?нд? йо?а ?ына кремний диоксиды(диоксид кремния) булдырыр?а т??дим ит?. Был металл затвор?ы ?тк?ре?се каналдан изоляциялай. Килеп сы??ан структура МОП-структура (Металл-Окисел-Полупроводник) исемен ала.
Биполяр транзистор
??г?ртерг?
?ыр транзисторынан айырмалы, т??ге биполяр транзистор эксперимент юлы мен?н эшл?н?, ? уны? эшл??е физик принцибы ?у?ыра? а?латыла.
1929—1933 йылдар?а Ленинград физика ??м техника институтында Олег Лосев (ет?ксе?е А. Ф. Иоффе) н?кт?ле карборунда (SiC) кристалында эшл?г?н ярым ?тк?ргес ?орамал мен?н эксперимент эшл?п ?арай. Бынан тыш ул 90-?а я?ын материалды тикшер?, л?кин уны? эш ????мт?л?ре билд??е?, с?нки инженер 1942 йылда ??л?к була. 1930 йылдар башында ?с электродлы н?кт?ле к?с?йткест?р?е Канаданан Ларри Кайзер мен?н Я?ы Зеландиянан Роберт Адамс эшл?й, улар эшт?рен патентламай, шу?а к?р? улар?ы? эшен? ф?нни анализ бирелм?й[2].
American Telephone and Telegraph фирма?ыны? Bell Telephone Laboratories конструктор?ары 1936 йылдан башлап к?с?йткест?р эшл?? мен?н ш???лл?н? (ет?ксе?е Джозеф Бекер) . 1947 йылды? 16 декабренд? тикшерене?се Уолтер Браттейн т?жриб? ва?ытында полярлы?тар?ы бутап, хата еб?р? ??м к?т?лм?г?нд? сигналды? даими к?с?йе?ен к???т?. Теоретик Джон Бардин мен?н берлект? ?тк?релг?н т?жриб?л?р быны? б?т?нл?й икенсе т?р биполяр транзистор ик?нен ра?лай. 1947 йылды? 23 декабренд? был ?йбер?е? макетын фирма ет?кселеген? к?р??т?л?р, ошо к?н транзистор тыу?ан к?н тип и??пл?н?. Элек был эш мен?н ш???лл?нг?н Уильям Шокли я?ынан эшк? тотона ??м биполяр транзистор теория?ын ниге?л?й, ул н?кт?ле технология урынына перспективалы я?ы транзистор (плоскостная) эшл?? технология?ын т??дим ит?.
Башта ул ?германийлы триод?, й?ки ?ярым ?тк?ргес триод? тип й?р?т?л?, 1948 йылда Джон Пирс (John R. Pierce) ?transistor? исемен уйлап сы?ара — ?transconductance? (активная межэлектродная проводимость) и ?variable resistor? или ?varistor? (переменное сопротивление, варистор), икенсе версия буйынса ?transfer? — ?тк?ре? ??м ?resist? — ?аршылы?.
1948 йылды? 30 июненд? Нью-Йоркта фирманы? штаб-квартира?ында я?ы прибор?ы? презентация?ы була, был транзистор?ар?ан йыйыл?ан радиоал?ыс була . Л?кин донъя к?л?менд? был я?ылы? шау-шыу тыу?ымай, с?нки был прибор?ы? етеш?е?лект?ре к?п була ?ле.
1956 йылда Уильям Шокли (en:William Shockley), Уолтер Браттейн (en:Walter Houser Brattain) ??м Джон Бардин (en:John Bardeen) физика ?лк??енд?ге ?а?аныштары ?с?н Нобель премия?ы мен?н б?л?кл?н? (?за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта?)[6]. Джон Бардин о?а?ламай икенсе тап?ыр ????тт?н тыш ?тк?ргеслек теория?ы (теория сверхпроводимости) ?с?н Нобель премия?ына лайы? була .
И?к?рм?л?р
??г?ртерг?- ↑ ?ай?ы бер ва?ыт корпустан, подножканан, й?ки ике затворлы электр ?ыры транзистор?арында икенсе затвор?ан д?ртенсе сы?ар?ыс (вывод) та була
- ↑ 2,0 2,1 Гуреева Ольга. Транзисторная история. Компоненты и технологии, № 9 2006
- ↑ Vardalas, John, Twists and Turns in the Development of the Transistor 2015 йыл 8 ?инуар архивлан?ан. IEEE-USA Today’s Engineer, May 2003.
- ↑ Lilienfeld, Julius Edgar, ?Method and apparatus for controlling electric current? ?алып:US patent 2025-08-05 (filed in Canada 2025-08-05, in US 2025-08-05).
- ↑ Металл Диэлектрик Полупроводник
- ↑ Малашевич Б. М. Технологии. 60 лет транзистору. Виртуальный компьютерный музей. 6.01.2008
???би?т
??г?ртерг?- Криштафович А. К., Трифонюк В. В. Основы промышленной электроники. — 2-е изд. — М.: "Высшая школа", 1985. — 287 с.
- Овсянников Н. И. Кремниевые биполярные транзисторы: Справ. пособие. — Мн.: "Высшая школа", 1989. — 302 с. — ISBN 5-339-00211-X.
?ылтанмалар
??г?ртерг?
- Объяснение работы диодов и транзисторов на аналогии с водопроводом
- История транзисторов на сайте Bell Labs 2007 йыл 28 сентябрь архивлан?ан.
- Иллюстрированное описание процесса изготовления транзистора 2016 йыл 11 декабрь архивлан?ан.
- Транзистор. Теория. Общие понятия.
- Справочник параметров транзисторов. С числовыми данными и внешним видом
- Видео урок
Был м???л?г? т?б?нд?гел?р етешм?й. Ошолар?ы т???теп й? ??т?п, ?е? уны я?шырта ала?ы?ы??: |